氮化镓被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（directbandgap）的半导体。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700。物理外观上氮化镓（GaN）一般为黄色粉末，类铅锌矿晶体，摩尔质量为83.73g/molg·mol⁻¹，熔点在2500C以上，密度为6.15g/cm3。